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据韩国媒体报道,三星电子正加速布局下一代DRAM技术,在第六代DRAM尚未量产之际,已着手建立第七代(1d)DRAM的测试线。
报道称,三星已在平泽P2厂建置10纳米级的第七代DRAM测试线,并预计明年第一季度完全建成,以提高良率并拉开与竞争对手的技术差距。
这条被称为“单路径线”的测试线,将用于测试新半导体产品的量产潜力,一旦下一代芯片性能在研发阶段确定,就会在此引进晶圆,开始提高量产良率。
目前尚不确定平泽10纳米级第七代DRAM厂房的规模,但通常安装测试线每月可处理约1万片晶圆。
三星计划在2026年前量产第七代DRAM,而其前身第六代(1c)DRAM计划明年(2025年)量产,因此,第七代测试线与第六代DRAM量产的准备工作同步进行。
业界认为,三星在第六代DRAM还未进入量产阶段前就为第七代建置厂房,是为了明年重夺优势的起步年所进行的投资。
三星HBM市场被第二大公司SK海力士夺走,10纳米级第六代内存的开发速度也落后于对手,为了夺回领导地位,三星必须加快产品开发速度。