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据媒体报道,三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash,接口速度可达5.6 GT/s。
三星的这一新一代V-NAND保持了TLC(三级单元,或每个单元3位)架构,每个芯片的容量为1Tb(128GB)。
三星声称,其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²,略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²,后者是目前世界上存储密度最高的NAND Flash。
此外,三星第10代V-NAND的接口速度达到5.6 GT/s,明显快于长江存储的3.6 GT/s。
在5.6 GT/s的速度下,相当于约700 MB/s的数据传输速率,意味着其中10个设备可以使PCIe4.0 x4接口饱和,而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口饱和。
三星计划在ISSCC 10上推出第10代V-NAND,因此很可能在明年开始批量生产这种NAND Flash,只是尚不清楚新何时会进入三星自己的SSD。